近期资本市场最大的热点是工信部印发光刻机指导文件。
9 月 9 日，工信部印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》，其中在电子专用装备目录下，集成电路生产装备包括氟化氩GKJ，光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。
顶点财经柯友浪提示大家：工信部文件的发布，对国产替代是重大利好。
集成电路生产装备章节列示了氟化氪（KrF）光刻机、氟化氩（ArF）光刻机两项，意味着国产 KrF、ArF 光刻机已完成首台生产、进入推广应用阶段。
工信部列示的国产 ArF 光刻机对应制程≤65nm，预计为干式 DUV 光刻机。
根据工信部文件所示的核心技术指标，该 ArF 光刻机分辨率≤65nm，即对应单次曝光关键尺寸≤65nm（通俗称即为制程≤65nm），预计为数值孔径（NA）相对较低的干式 ArF 光刻机。
2018 年 3 月上海微电子的干式 ArF 光刻机 SSA600 通过验收，SSA600 最高可满足 12 寸线 90nm 光刻工艺需求，工信部列示的 ArF 光刻机与 SSA600 均为干式+ArF 光源，但制程更先进，预计因数值孔径有所增加、但仍有较大提升空间。
工信部列示的国产 ArF 光刻机套刻精度≤8nm，尚有提升空间。
根据工信部文件所示的核心技术指标，该 ArF 光刻机套刻精度≤8nm，作为对标，当前 ASML 生产的干式ArF 光刻机主力机型 NXT:1470，其分辨率≤57nm、套刻精度≤4.5nm。
套刻精度即多次光刻的图案层之间的对齐精度，多重曝光工艺对套刻精度的要求更高，预计工信部列示的 ArF 光刻机尚需提升套刻精度才能满足多重曝光工艺。
怎么看待工信部文件的影响呢？柯老师认为，国产光刻机及光刻工艺技术持续进展，官方披露核心设备进展提振市场信心，国产光刻机相关产业链受益，国内晶圆厂扩产自主可控可期，国产半导体设备整体受益。
相关细分赛道梳理如下：1）国产光刻机相关标的：茂莱光学，波长光电，炬光科技，福晶科技；2）设备公司：中微公司（刻蚀、薄膜沉积等），北方华创（薄膜沉积、刻蚀、清洗设备、氧化炉等），中科飞测、精测电子（前道检测量测设备），拓荆科技（薄膜沉积、键合设备等），芯源微（涂胶显影、清洗设备等）。
柯友浪（执业编号：A0380621090002）简介：
顶点财经首席投顾，荣登纳斯达克时代广场大屏，新浪金牌理财师，曾任较大规模的阳光私募基金经理，曾受邀参加LME亚洲年会，拥有十余年市场经验。
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